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不考虑财力人力让现今的美国造一台国产光刻机和再次载人登月哪个更难实现?

小陈妹儿
2021/5/5 8:49:04
(注:纯属荒诞设定只为科学推演的参考比较)假如有一天荷兰突然断供了全世界高性能光刻机,与此同时之前卖出去的高性能光刻机也突然穿越空间又回到了荷兰,荷兰还把钱退了说这种小国就能造出来的东西我没有脸面玩几乎绝对的垄断我希望世界各国能摆脱对我依赖所以断供,那么假若在美国不用军事威胁和经济制裁等手段要回光刻机但同时也不考虑人力和财力的问题,让美国以举国之力造一台纯国产的性能比肩现今荷兰最高水平的光刻机相比再次完成载人登月并安全返航那个相对更难实现?为什么?欢迎回答~(开放回答~要是美国决心要国产化光刻机的话用时能否比中国短?)
最佳答案:

载人登月这块我不熟悉所以没法很明确的说是登月更容易,还是制造光刻机更容易,但是就光刻机这块来说,如果以正常的市场手段来进行,美国是没办法制造纯国产的光刻机。

1、光刻机是系统工程,靠的是全球产业链制造:当前ASML能制造光刻机靠的是全球化的产业链,整台机器10万有余的零配件近9成靠的是全球进口,在这其中包括了美国的光源,德国的物镜,瑞典的轴承,法国的阀件,日本的光学器材,以及荷兰ASML自己拥有的核心技术,如EUV光刻技术等等。

在整个光刻机产业链中,美国的制造业在这个庞大的体系中只占有极少一部分。所以,如果美国想要制造纯国产光刻机,那他需要自己解决整台机器所需的10余万的零配件,这也意味着美国需要进行极大的投资建设,攻克各种核心技术。

2、美国不是万能的,解决不了所有技术难题:如果美国真想制造纯国产的光刻机,那以美国现有的科技实力,即便举国之力之下也很难在短期做出纯美国产的光刻机。我们先拿核心子系统相关的技术来说:

EUV光刻技术:这方面的主要专利都集中在蔡司、ASML、以及日韩(三星、海力士、尼康、佳能)等国家,这些地区的厂商占据了专利榜的前6名,美国根本就排不上号。如果美国不是巧取豪夺,或者ASML、蔡司等主动贡献,美国几乎没有可能在短期内研发出来。

双工件台:目前全球只有两个国家能制造,荷兰ASML率先研发出的这个设备,第二个就是我们中国的清华团队研发(下图)。美国想要搞出这个子系统显然需要不短的时间来进行攻关。

整台光刻机涉及的核心子系统很多,以上还只是两个方面而已,美国不具备的技术都需要重头开始研发,因此都不具备短期实现能力。

3、美国去工业化已久,再造工业化系统很难:这里不得不提美国自身的去工业化,现在的美国是个金融大国,钱全跑华尔街去了。当然,美国现在的工业依旧很强(尤其是高端领域),也还有完整的体系,但是长久的去工业化已经对美国造成了难以挽回的局面。

现阶段之下美国已经很难招到大量的产业工人,同时资本家也不是慈善家,想要工厂开工生产还得保证有足够高的利润。这些在美国都已经很难实现,人工成本高,高素质的技术工人极度缺乏。

想要让美国工业恢复往日辉煌,就得重新陪养合格的技工、工程师,以及对应的教育资源。但很可惜,如今的美国都已经不具备这种条件,既没有师资力量,也没人乐意学。

这也是懂王一再喊要重振美国制造业但又没任何实际进展和成果的原因!

4、制造纯国产光刻机,中国多半比美国强:虽然现在在半导体产业中国落后,很多制造业的装备也都是国外产的较好,国产的性能较弱。但在光刻机这块,如果比纯国产,个人还是倾向于中国比美国强。

这主要是因为中国的工业化优势依旧存在,种类齐全,产业技术工人庞大,其次是光刻机的核心子系统我们都已经完成自研,光刻机技术、物镜系统、双工件台、浸液系统、准分子激光光源等等我们都搞定了,全球范围内基本都能进前三。

最后就是我们好歹有量产光刻机,而且28nm节点光刻机也将实现(意味着能超越日系厂商,进入全球第二),比美国从零起步还是要强不少。

Lscssh科技官观点:综合而言,美国想要靠正常的技术发展和市场环境是根本不可能打造纯国产光刻机的。当然,如果他充分利用自己的霸主地位,同时依靠全球产业链,那还是能很快制造出光刻机,毕竟大量核心技术都在盟友手中,直接采购使用就行。


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娇龙求凤

2021/5/14 10:56:43

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  • 信君创意

    2021/5/8 8:42:34

    感谢邀请

    国产光刻机能实现多少nm工艺制程?

    题主问题的核心是国产光刻机能实现多少nm工艺制程?根据现在来看最高可以生产的时90nm,但是有最新消息爆出来现在已经来到了7nm,当然这可不是中芯国际,说直白一点中芯国际的14nm光刻机其实还是来自于ASML的,所以算不上是真正的国内自研发,而目前国内的企业有很多,但是上海微电子相对来说是走在前列的。



    根据网友的爆料显示,上海微电子最高年底可以实现7nm。的

    简答一点来说就是上海微电子将于今年(2020年)12月下线首台采用ArF光源的可生产11纳米的SSA800/10W光刻机(单次曝光28nm节点浸没光刻机),采用NA1.35透镜组,并搭载超精密磁悬浮双工件台和超纯水浸入系统。同时采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米。该光刻机有生产7nm制程的潜力(多次曝光)。

    • 而且同时贴出SMEE的双工件台曝光系统的操作控制界面。同时还透露长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机,预计两年内可推出。
    • 这个消息确实低于国人来说兴奋的,从90nm直接来到了7nm而且未来两年的时间EUV工艺可以实现,也就意味着中国的光刻机技术可以和世界顶级的相比了,当然和ASML这样的厂商还有差距,不过我们要知道这是国内自主研发的。



    光刻机我们要知道最难的点其实在两个地方,也就是两大核心部件为双工件台和曝光系统。而根据媒体的报道称这些是有清华大学朱煜教授带领的团队在2014年研发出工件台样机。

    已经来到了比如掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到MA:2.2nm、MSD:4.7nm,使中国成为第二个掌握此技术的国家。随后依托该技术产业化成立华卓精科向市场推出商用光刻机双工件台产品。

    另外在EUV曝光系统方面,长春光机所于2002年研制国内第一套EUV光刻原理装置,于2016年成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统,2017年32nm线宽的13.5nm极紫外光EUV光刻曝光系统通过验收。科益虹源在2018年成功商用的浸没式193nm准分子激光器。

    而且依托浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。中微半导体也推出用于5nm制程蚀刻机。南大光电研发出193nm光刻胶。华为自研EDA已进行7纳米验证。



    总结

    之前其实国内针对媒体的提问说针对华为的问题怎么看?国内的相关人士回应说如果国外依然是对于华为制裁,而且没有缘由,那我们将会对于现有的高通,四颗,以及波音和苹果进行限制,其实可见国内对于科技方面的自信,所以基本上上面曝光的信息很大一部分是真实的,国内自主研发的光刻机年底实现7nm,而两年之内提升到了EUV7nm,虽然和ASML有差距,但是对于我们平时使用来说确实已经完全够用,如果真的国外技术全部彻底,我们至少也不用担心再回去到14nm时代了。


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